在电力电子系统中，IGBT常常是其主要的开关器件，IGBT损坏，可能会导致相当大的经济损失，因此，保护IGBT是非常重要的。在电力电子系统中，由于主回路中杂散电感的存在，当关断IGBT的时候，集电极-发射极电流会快速下降，电感的特性是电流不能瞬变，会产生感应电动势，形成尖峰电压:Vovershoot=Lstray*di/dt。

尖峰电压的方向和直流母线电压Vdc-link方向一致，叠加在母线上，Vce=Vovershoot+Vdc-link，当Vce过高时，就有可能损坏IGBT。过压是导致IGBT损坏的常见原因之一，特别是在大功率场合，由于往往电流较大，尖峰问题相对明显。

为了抑制尖峰电压，除了在IGBT驱动器上采用一定的措施如有源钳位等进行电压钳位外，还需要在直流母线两端添加吸收电容，吸收掉尖峰电压。

为了更好的吸收效果，除了选取合适容值，电压等基本参数的电容外，吸收电容本身还有许多其他特性也是很重要的，一款良好的吸收电容还应该有低ESL，低ESR，低损耗因数，高脉冲负载能力等。
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